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元件参数资料
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参数目录40312
> SI4500BDY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 8-SOIC
型号:
SI4500BDY-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI4500BDY-T1-GE3 PDF
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.6A,3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫欧 @ 9.1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
剪切带 (CT)
其它名称
SI4500BDY-T1-GE3CT
查看SI4500BDY-T1-GE3代理商
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